SK하이닉스가 중국 장쑤성 우시(無錫) 공장에 반도체 초미세공정 핵심인 극자외선(EUV) 노광장비를 배치하려는 계획이 미국 정부의 제동으로 좌초할 가능성이 제기된다고 로이터 통신이 17일 보도했다.

통신은 복수의 소식통을 인용해 SK하이닉스가 우시 공장에 네덜란드 반도체 장비기업 ASML의 EUV 노광장비를 설치해 반도체 제조 공정의 수율을 끌어올린다는 계획을 세웠으나 미국 정부의 반대를 넘을 수 있느냐가 불투명하다고 전했다.

미국은 중국의 군사력 증대에 악용될 수 있다며 이러한 첨단장비의 중국 반입을 막아왔다.

미 백악관 고위 당국자는 SK하이닉스의 EUV 장비 중국 반입을 허용할 것인지 묻는 말에 언급을 거부했다.

하지만, 한 당국자는 조 바이든 미 행정부가 중국군 현대화에 쓰일 수 있는 최첨단 반도체 개발에 미국과 동맹국의 기술을 활용하는 것을 막는다는 입장에서 변함이 없다고 말했다.

SK하이닉스는 중국 우시 공장에서 D램 칩의 절반 가량을 생산하고 있으며, 이는 전세계 D램 생산량의 15%에 해당한다.

로이터 통신은 SK하이닉스가 EUV 장비로 공정을 개선하지 않는다면 비용 절감과 생산 속도 개선이란 목표를 달성하기 힘들다고 지적했다.

통신은 SK하이닉스가 수년 안에 이 문제를 해결하지 못하면 삼성전자나 미국 마이크론과의 경쟁에서 불리한 입장에 놓일 것이라면서, SK하이닉스가 미중 갈등의 또 다른 희생자가 될 수 있다고 말했다.

SK하이닉스는 이와 관련한 언급을 거부했다고 통신은 덧붙였다.

SK하이닉스는 이달 초에는 미국 정부의 요구에 따라 삼성전자, 대만 TSMC, 미국 마이크론 등 다른 글로벌 반도체 기업들과 함께 미 상무부에 반도체 공급망 자료를 제출하기도 했다.

<연합뉴스>